7nm8 삼성 7nm EUV 공정 개발 완료 삼성은 EUV 장비를 이용한 7nm 공정 개발을 완료했습니다. 원래 계획에 따르면 삼성은 2018년 하반기부터 생산에 들어갈 예정이었으나 일정을 6개월 이상 앞당긴 것입니다. 퀄컴의 차기 플래그십 AP인 스냅드래곤 855는 이미 TSMC와 생산 계약이 완료되었다고 알려져 있었지만 삼성이 7nm 공정 개발을 예상보다 일찍 완료하면서 스냅드래곤 855를 두고 삼성과 TSMC가 경쟁하게 될 것입니다. 16/14nm 공정이 시작된 이래로 삼성과 TSMC간의 경쟁은 점점 더 치열해지고 있으며 양사는 새로운 공정 개발을 가속화하기 위해 막대한 투자를 진행하고 있습니다. 현재 양사는 10nm 공정을 성공적으로 상용화시켰습니다. 이를 이용하여 TSMC는 화웨이 기린 970과 애플 A11을, 삼성은 퀄컴의 스냅드래곤 8.. 2018. 4. 9. 퀄컴 스냅드래곤 5G 칩셋은 삼성의 7nm LPP EUV 공정에서 제작될 예정 첨단 반도체 기술의 세계적인 선두주자인 삼성전자와 퀄컴은 지난 10년간 지속되어온 파운드리 관계를 EUV(극자외선) 공정 기술로 확대하려는 계획을 발표했습니다. 삼성의 7nm LPP EUV 공정 기술을 사용하는 스냅드래곤 5G 모바일 칩셋은 더 작은 칩으로 제조사들이 더 큰 배터리나 더 얇은 디자인을 지원할 수 있도록 더 많은 공간을 제공할 것입니다. 공정의 개선과 향상된 칩 설계는 배터리 사용 시간을 획기적으로 향상시킬 것으로 기대됩니다. 지난 해 5월 삼성전자는 EUV 기술을 사용하는 최초의 반도체 공정인 7nm LPP를 발표했습니다. EUV 기술은 한 자릿수 나노 미터 공정 기술을 위한 길을 열어 무어의 법칙을 깨드릴 것입니다. 삼성의 7nm LPP 공정은 10nm FinFET과 비교할 때 공정의 .. 2018. 2. 26. 삼성전자, EUV 생산 라인 기공식 거행 삼성전자는 화성에 새로운 EUV(극자외선) 공정 생산 라인의 기공식을 거행했습니다. 삼성전자는 첨단 반도체 기술의 선두 주자로서 향후 운영될 EUV 라인을 기반으로 반도체 기술 분야에서 리더십을 유지하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 새로운 EUV 라인을 통해 모바일, 서버, 네트워크, 고성능 컴퓨팅 등 성능과 전력 효율성이 가장 중요한 다양한 분야에서의 시장 수요에 대응함으로써 한 자릿수 나노미터 공정 기술의 리더십을 강화할 수 있습니다. 새로운 생산 라인은 2019년 하반기에 완공되어 2020년 생산량이 급격히 증가할 것으로 예상됩니다. 또한 2020년까지의 초기 투자액은 2020년까지 60억 달러, 약 6조 5천억 원에 달할 것으로 보이며 시장 상황에 따라 추가적인 투자가 결정될 것입니다. 삼성전자.. 2018. 2. 26. 애플 A12 칩셋, TSMC 7nm 공정으로 독점 생산 대만의 파운드리 업체인 TSMC는 2018년의 7nm 양산 경쟁에서 삼성전자에 대해 우위를 점할 확실한 준비가 되어 있습니다. 또한 TSMC는 2018년 차세대 애플 A12 칩에 대한 공급 계약을 체결하였으며 퀄컴 또한 차세대 스냅드래곤 855 칩을 TSMC에 생산을 맡길 예정입니다. 기존의 Arf 엑시머 레이저를 통한 멀티패터닝 기술을 이용한 7nm 공정 개발로 7nm 경쟁에서 삼성보다 우위에 서게 된 TSMC는 2세대 7nm 공정부터는 EUV 기술을 도입하여 5nm, 3nm 공정으로 단계적으로 확대해 나갈 예정입니다. TSMC는 2018년부터는 남부 대만 사이언스 파크에 5nm 생산 공장인 Fab18을 건설할 예정이며 2020년에는 3nm 생산 공장을 건설할 계획을 세우고 있습니다. 삼성 또한 적극적.. 2018. 1. 5. TSMC, 세계 최초의 3nm 생산 공장 건설 예정 세계 최대의 파운드리 업체인 TSMC가 대만 남부에 위치한 타이난 사이언스파크에 3nm Fab(반도체 생산 시설)을 건설할 예정입니다. 당초 미국 트럼프 행정부의 적극적인 투자 유치 정책으로 미국에 생산 시설을 건설할 것으로 알려졌었으나 계획을 바꿔 자산과 공급망을 더 잘 활용할 수 있고 정부의 인프라 지원을 많이 받을 수 있는 본국 대만에 공장을 건설하기로 결정했습니다. TSMC는 3nm 생산 시설 건설을 위해 157억 달러를 투자할 계획을 가지고 있으며 3nm 공정 가동에 필요한 장비의 일부는 네덜란드의 ASML에서 조달할 예정입니다. TSMC는 기존의 계획을 따로 수정하거나 하지는 않았기 때문에 예정대로 2022년까지는 3nm 공정 생산을 시작할 것입니다. 또한 TSMC는 7nm 공정 수율이 생각보.. 2017. 10. 4. 삼성, 2018년 11nm, 7mn EUV 공정 양산 예정 삼성전자는 첨단 파운드리 공정 포트폴리오에 11nm FinFET LPP 공정을 추가했습니다. 11nm LPP 공정은 이전의 14nm LPP 공정에서 확장된 것이며, 14nm LPP와 같은 전력 소비로 15% 더 높은 성능과 10%의 칩 면적 감소 효과를 제공합니다. 프리미엄급 스마트폰에 들어가는 모바일 프로세서를 생산하는 10nm FinFET 공정 외에도 11nm 공정이 중저가 스마트폰에서 차별화된 가치를 제공할 것으로 보입니다. 새로운 공정 기술을 통한 실물은 2018년부터 양산이 시작될 예정입니다. 삼성은 또한 EUV(극자외선)리소그래피 기술을 이용한 7nm LPP 공정의 개발이 2018년 하반기 초기 생산을 목표로 진행되고 있음을 확인했습니다. 삼성전자의 파운드리 부문 마케팅 책임자인 Ryan Le.. 2017. 9. 11. 글로벌파운드리(GF), 7nm FinFET 공정 발표 글로벌파운드리(Globalfoundries, GF)는 프리미엄 모바일 프로세서, 클라우드 서버 및 네트워킹 인프라 스트럭처 분야에서 40% 성능 향상을 제공하는 7nm Lead-Performance(7LP) FinFET 반도체 공정 기술을 발표했습니다. 프로세서 디자인 킷(PDK, 팹리스 업체가 반도체를 설계할 때 사용하는 데이터베이스)은 현재 이용 가능하며 7LP 기반의 첫 번째 제품은 2018년 상반기 중에 출시, 2018년 후반기에는 양산이 가능할 것으로 보입니다. 지난해 9월 글로벌파운드리는 7nm FinFET 기술을 개발할 계획이라고 발표했습니다. 트랜지스터 및 프로세스 부분에서의 추가적인 개선으로 7LP 기술은 이전 14nm 공정보다 40% 이상의 처리 능력 향상을 제공할 것입니다. 이 기술은.. 2017. 6. 15. 삼성, 2020년까지 4nm 공정 도입 예정 삼성전자는 향후 3년간의 미세공정 로드맵을 공개했습니다. 올해 스마트폰 업계는 삼성의 10nm 공정을 기반으로 제작된 스냅드래곤 835에 열광했습니다. 10nm FinFET 공정으로 만들어진 이 칩은 기존 제품에 비해 상당한 성능 향상을 제공합니다. 우리가 스마트폰을 말할때 전력 소비는 성능보다 더 중요하기 때문에 10nm FinFET 공정은 진정으로 빛나는 부분입니다. 삼성은 미세공정 부분에서 다른 스마트폰 회사들보다 한발 앞서고 있습니다. 내년에는 삼성이 7nm 공정을 공개할 것이라는 소문이 널리 퍼져 있습니다. 삼성은 2018년에 7nm 공정을 가동하고 2019년에는 6nm, 5nm, 2020년에는 4nm 공정으로 전환할 것입니다. Kelvin Low 마케팅 수석 이사는 "삼성이 단지 새로운 공정을.. 2017. 5. 29. 이전 1 다음
