삼성, 2018년 11nm, 7mn EUV 공정 양산 예정

삼성전자는 첨단 파운드리 공정 포트폴리오에 11nm FinFET LPP 공정을 추가했습니다.

11nm LPP 공정은 이전의 14nm LPP 공정에서 확장된 것이며, 14nm LPP와 같은 전력 소비로 15% 더 높은 성능과 10%의 칩 면적 감소 효과를 제공합니다.

프리미엄급 스마트폰에 들어가는 모바일 프로세서를 생산하는 10nm FinFET 공정 외에도 11nm 공정이 중저가 스마트폰에서 차별화된 가치를 제공할 것으로 보입니다.

새로운 공정 기술을 통한 실물은 2018년부터 양산이 시작될 예정입니다.

삼성은 또한 EUV(극자외선)리소그래피 기술을 이용한 7nm LPP 공정의 개발이 2018년 하반기 초기 생산을 목표로 진행되고 있음을 확인했습니다.

삼성전자의 파운드리 부문 마케팅 책임자인 Ryan Lee는 "삼성이 11nm 공정을 이용한 다양한 애플리케이션들을 위한 고급 옵션을 제공하기 위한 로드맵에 추가했으며, 삼성전자는 이를 통해 향후 3년간 14nm부터 11nm, 10nm, 8nm, 7nm까지 포괄적인 공정 로드맵을 완료했다." 고 밝혔습니다.

11nm LPP 공정의 가용성과 7nm EUV 공정의 개발을 포함하여 삼성전자의 파운드리 로드맵에 대한 최신 업데이트는 9월 15일 도쿄에서 열리는 삼성 파운드리 포럼에서 상세하게 다루어질 예정입니다.

참고 자료

https://news.samsung.com/global/samsung-strengthens-advanced-foundry-portfolio-with-new-11nm-lpp-and-7nm-lpp-with-euv-technology

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