삼성, 2020년까지 4nm 공정 도입 예정

삼성전자는 향후 3년간의 미세공정 로드맵을 공개했습니다. 올해 스마트폰 업계는 삼성의 10nm 공정을 기반으로 제작된 스냅드래곤 835에 열광했습니다. 10nm FinFET 공정으로 만들어진 이 칩은 기존 제품에 비해 상당한 성능 향상을 제공합니다. 우리가 스마트폰을 말할때 전력 소비는 성능보다 더 중요하기 때문에 10nm  FinFET 공정은 진정으로 빛나는 부분입니다.

삼성은 미세공정 부분에서 다른 스마트폰 회사들보다 한발 앞서고 있습니다. 내년에는 삼성이 7nm 공정을 공개할 것이라는 소문이 널리 퍼져 있습니다. 삼성은 2018년에 7nm 공정을 가동하고 2019년에는 6nm, 5nm, 2020년에는 4nm 공정으로 전환할 것입니다.

Kelvin Low 마케팅 수석 이사는 "삼성이 단지 새로운 공정을 계획만 하고 있는 것이 아니라 실제로 계획을 달성할 수 있기 때문에 로드맵은 희망적이다."고 말했습니다. 이것들은 매우 야심찬 계획이며 삼성을 반도체 제조업계에서 전면에 서게 할 것입니다.

한편 4nm보다 더 흥미로운 것은 7nm 계획입니다. 삼성은 2018년부터 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 노광장비를 새롭게 도입하여 7nm부터 가동할 것입니다. 삼성이 2018년에 실제로 7nm 제품을 선보일 수 있다면 스마트폰 환경을 수 마일 앞당기는 이정표가 될 것입니다.

참고 자료

http://wccftech.com/samsung-4nm-new-roadmap-detailed/

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