삼성전자8 삼성전자, EUV 생산 라인 기공식 거행 삼성전자는 화성에 새로운 EUV(극자외선) 공정 생산 라인의 기공식을 거행했습니다. 삼성전자는 첨단 반도체 기술의 선두 주자로서 향후 운영될 EUV 라인을 기반으로 반도체 기술 분야에서 리더십을 유지하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 새로운 EUV 라인을 통해 모바일, 서버, 네트워크, 고성능 컴퓨팅 등 성능과 전력 효율성이 가장 중요한 다양한 분야에서의 시장 수요에 대응함으로써 한 자릿수 나노미터 공정 기술의 리더십을 강화할 수 있습니다. 새로운 생산 라인은 2019년 하반기에 완공되어 2020년 생산량이 급격히 증가할 것으로 예상됩니다. 또한 2020년까지의 초기 투자액은 2020년까지 60억 달러, 약 6조 5천억 원에 달할 것으로 보이며 시장 상황에 따라 추가적인 투자가 결정될 것입니다. 삼성전자.. 2018. 2. 26. 삼성 노트북 펜 2018년형 출시, 스펙, 가격, 예약판매 일정 알아보기 삼성전자는 S펜을 탑재한 노트북 '삼성 노트북 Pen' 2018년형 모델을 출시했습니다. 삼성 노트북 펜은 지난 7월 삼성 노트북 9 펜이라는 이름으로 처음 선보였으며 S펜과 노트북의 결합으로 많은 호응을 얻었습니다. 삼성 노트북 펜은 디스플레이를 360도 회전하여 태블릿처럼 사용할 수 있으며 터치스크린 채용으로 디스플레이에 직접 S펜을 사용할 수 있습니다. 포함된 S펜은 스마트폰 갤럭시 노트 시리즈와 동일한 기능을 지원하며 0.7mm의 펜촉을 가지고 있으며 무려 4,096 단계의 필압을 지원하므로 실제 펜을 통해 그리듯이 정밀한 컨텐츠 작업이 가능합니다. 구매고객들에게는 전문가급 이미지 작업이 가능한 전용 프로그램인 '오토데스크 스케치북' 프로그램이 90일동안 무료로 제공됩니다. 또한 삼성 노트북 펜은.. 2017. 12. 18. 갤럭시 A8 (2018)로 추정되는 스마트폰 전면 패널 유출 삼성전자는 늦어도 내년 상반기에는 갤럭시 A5, A7 (2018)을 출시할 예정입니다. 그런데 갤럭시 A8 (2018)로 추정되는 기기의 전면 패널이 유출되었습니다. 갤럭시 A8은 지난 2016년 출시된 이후 후속 모델이 없었습니다. 유출된 전면 패널의 사진을 보면 얇은 베젤과 하단 버튼 부분이 없어 올해 출시된 갤럭시 S8, 그리고 갤럭시 노트 8과 비슷하게 생긴 것을 알 수 있습니다. 그러나 엣지 디스플레이로 끝 부분이 둥글둥글한 것은 아니고 평면입니다. 특이한 점은 상단에 두 개의 구멍이 있다는 것입니다. 이는 갤럭시 A8 (2018)이 전면 듀얼 카메라를 채택할 수 있다는 것을 의미합니다. 갤럭시 A5, A7 (2018)은 카메라가 1개일 것으로 예상됩니다. 참고 자료 https://www.giz.. 2017. 11. 27. 삼성전자. 8nm LPP 공정 가동 준비 완료 삼성전자는 8nm FinFET 공정 기술인 8nm LPP(Lower Power Plus)가 인증되었으며 생산 준비가 완료되었다고 발표했습니다. 삼성의 새로운 8nm LPP 공정은 기존 10nm LPP 공정에서 메탈 피치를 줄여 10% 면적이 감소했고 10% 전력 소비가 감소했습니다. 8nm LPP 공정은 모바일, 네트워크/서버를 포함한 어플리케이션에 이점을 제공할 것으로 기대됩니다. 삼성은 8nm LPP 공정이 현재의 제조 기술로 실현 가능한 마지막 공정이라고 보고 있습니다. 실제로 8nm LPP 공정은 10nm 공정과 동일한 설계와 동일한 생산 프로세스를 가지고 있습니다. 7nm 부터는 EUV(Extreme Ultra Violet) 기술을 기반으로 하게 됩니다. 삼성전자의 마케팅 책임자인 라이언 리(R.. 2017. 10. 19. 삼성, 2018년 11nm, 7mn EUV 공정 양산 예정 삼성전자는 첨단 파운드리 공정 포트폴리오에 11nm FinFET LPP 공정을 추가했습니다. 11nm LPP 공정은 이전의 14nm LPP 공정에서 확장된 것이며, 14nm LPP와 같은 전력 소비로 15% 더 높은 성능과 10%의 칩 면적 감소 효과를 제공합니다. 프리미엄급 스마트폰에 들어가는 모바일 프로세서를 생산하는 10nm FinFET 공정 외에도 11nm 공정이 중저가 스마트폰에서 차별화된 가치를 제공할 것으로 보입니다. 새로운 공정 기술을 통한 실물은 2018년부터 양산이 시작될 예정입니다. 삼성은 또한 EUV(극자외선)리소그래피 기술을 이용한 7nm LPP 공정의 개발이 2018년 하반기 초기 생산을 목표로 진행되고 있음을 확인했습니다. 삼성전자의 파운드리 부문 마케팅 책임자인 Ryan Le.. 2017. 9. 11. 삼성전자, 1Tb(테라비트) V-NAND 모듈 발표 삼성전자는 상용 SSD에 사용될 1Tb(테라비트)V-NAND 칩을 개발했다고 발표했습니다. 1Tb(테라비트)는 125 GB(기가바이트)로 V-NAND 칩 16개를 한 패키지에 넣으면 최대 2TB(테라바이트) 용량의 SSD를 만들 수 있습니다. 이는 기존의 512Gb 모듈에서 2배가 늘어난 것입니다. 삼성은 이 패키지로 SSD의 용량이 크게 증가할 것이라고 밝혔습니다. 그리고 삼성은 기존 M.2 SSD 표준을 대체할 NGSFF SSD를 발표했습니다. NGSFF 규격은 30.5mm x 110mm x 4.38mm의 크기로 M.2 또는 NGFF 사용하는 1U 섀시의 메모리 용량의 4배를 지원합니다. 삼성은 36개의 16TB NGSFF SSD를 이용하여 1U 랙에 576TB 용량을 제공하는 인덱스 서버 시스템을 .. 2017. 8. 10. 삼성전자, 64단 256Gb V-낸드 양산 시작 삼성전자는 서버, PC, 모바일 기기용 스토리지 솔루션 라인업 확대를 위해 64단 256Gb(기가비트) V-낸드 플래시 메모리 모듈을 대량 생산하기 시작했다고 발표했습니다. 삼성전자는 지난 1월 주요 IT 고객을 대상으로 64단 256Gb V-낸드 칩을 기반으로 한 업계 최초의 SSD를 생산하기 시작한 이래로 광범위한 새로운 V-낸드플래시 기반 모바일 및 컨슈머 스토리지 솔루션을 개발하고 있습니다. 올해 말까지 임베디드 UFS 메모리, 브랜드 SSD 및 외장 메모리 카드를 출시할 것입니다. 메모리 시장 경쟁에서의 우위를 확보하기 위해 삼성은 자사의 월별 낸드플래시 생산량의 50% 이상을 64단 V-낸드(4세대 V-낸드라고도 함) 플래시 메모리로 채우기 위해 연말까지 대량 생산을 계획하고 있습니다. 경계현.. 2017. 6. 15. 삼성전자, 엑시노스 8895 AP 공식 발표 삼성전자가 새로롭게 출시할 플래그십 스마트폰 갤럭시 S8에 사용될 것으로 예측되고 있는 다음 세대 AP 엑시노스 9 시리즈 8895를 공식 발표하였습니다. 공식 발표 이전에는 엑시노스 9 시리즈라는 이름으로 알려져 있었기 때문에 모델명이 엑시노스 8895가 아니라 9810이 아닌가 하는 소문이 무성했지만 결국 공식 모델명은 엑시노스 8895로 결정되었습니다. 엑시노스 8895년 퀄컴 스냅드래곤 835와 미디어텍 헬리오 X30과 좋은 경쟁을 벌일 것입니다. 엑시노스 8895는 10nm FinFET 공정을 기반으로 생산되며 이전 14nm LPE FinFET 공정에서 생산된 AP과 비교하여 성능은 27% 개선되었고 전력소모는 40% 낮아졌습니다. 또한 4개의 Cortex-A53 코어와 4개의 커스텀 아키텍처(.. 2017. 2. 23. 이전 1 다음
