삼성전자, 1Tb(테라비트) V-NAND 모듈 발표

삼성전자는 상용 SSD에 사용될 1Tb(테라비트)V-NAND 칩을 개발했다고 발표했습니다. 1Tb(테라비트)는 125 GB(기가바이트)로 V-NAND 칩 16개를 한 패키지에 넣으면 최대 2TB(테라바이트) 용량의 SSD를 만들 수 있습니다. 이는 기존의 512Gb 모듈에서 2배가 늘어난 것입니다. 삼성은 이 패키지로 SSD의 용량이 크게 증가할 것이라고 밝혔습니다.

그리고 삼성은 기존 M.2 SSD 표준을 대체할 NGSFF SSD를 발표했습니다. NGSFF 규격은 30.5mm x 110mm x 4.38mm의 크기로 M.2 또는 NGFF 사용하는 1U 섀시의 메모리 용량의 4배를 지원합니다.

삼성은 36개의 16TB NGSFF SSD를 이용하여 1U 랙에 576TB 용량을 제공하는 인덱스 서버 시스템을 시연해 보였습니다. 2U 랙을 이용하면 페타바이트 단위의 용량을 구현할 수 있습니다. 

또한 기존 SSD보다 속도를 크게 향상시킨 Z-SSD 기술을 사용하는 SSD인 SZ985를 선보였습니다. 읽기 대기 시간이 15ms로 NVME SSD의 7분의 1에 해당합니다.

참고 자료

http://www.zdnet.com/article/samsung-unveils-1tb-v-nand-chip-for-commercial-ssds/

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