삼성, 차세대 GDDR6 메모리 공개

 

 

삼성은 CES 2018 사전 행사인 CES 2018 이노베이션 어워즈의 36개 부분에서 수상했습니다. 그 중에는 현재 개발이 진행되고 있는 GDDR6 메모리도 포함되어 있으며, 대략적인 정보를 파악할 수 있습니다.

공개된 삼성의 GDDR6 K4ZAF325BM-HC14는 1.35V로 작동하는 16Gb(16 기가비트) 모듈입니다. 이것은 삼성 최초의 GDDR6 메모리이며 현재 개발 중인 엔지니어링 샘플입니다.

CES 2018이 시작되면 삼성이 개발한 GDDR6 메모리에 대한 더 많은 정보가 공개될 것입니다. CES 2018은 내년 1월에 라스베이거스에서 열립니다.

삼성의 GDDR6 메모리는 초당 약 12개의 FHD DVD를 전송하는 것과 동일한 16Gbps 속도, 64GB/s의 데이터 입출력 대역폭을 가지고 있습니다. 또한 GDDR5의 1.5V보다 더 낮은 1.35V의 전압으로 전력 효율성도 더욱 향상되었습니다.

참고 자료

 

https://videocardz.com/newz/samsung-16gb-gddr6-memory-receives-ces-innovation-award